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品名：r氧化鋁拋光粉, Alumina polishing powde.氧化鋁拋光粉采用高純氧化鋁作為原料, 在嚴(yán)格粒度分布控制下, ＊小粒度能夠達(dá)到0.3um。晶體呈平板狀、 粒度分布范圍窄、不易產(chǎn)生劃痕、磨削力強(qiáng)。用途：1) 單晶硅片的研磨、拋光。2) 水晶鏡片的研磨拋光。3) 手機(jī)外殼等鋁合金材料及不銹鋼材料的拋光。4) 不銹鋼餐具及其它裝飾材料的拋光。5) 等離子噴涂6)光學(xué)玻璃, 激光晶體, 光學(xué)晶體, 光學(xué)塑料, 半導(dǎo)體, 金屬合金, 陶瓷, 等。7) 塑膠拋光8）大理石拋光、石材拋光9）汽車漆面拋光10)石英晶體研磨拋光，晶振研磨拋光

無錫中晶平板狀氧化鋁拋光粉和拋光液使用說明書無錫中晶材料科技有限公司，氧化鋁拋光液是以微米或納米級氧化鋁為磨料，再配以濕潤劑、表面活性劑、分散穩(wěn)定劑和調(diào)整劑生產(chǎn)的一種研磨拋光材料。適用于各種精密產(chǎn)品及金相切片、手機(jī)殼等研磨拋光。公司開發(fā)和經(jīng)營的研磨拋光材料系列均為優(yōu)選的磨料，先進(jìn)的制備工藝保證了高質(zhì)量的顆粒呈等積形狀；嚴(yán)格的分級工藝保證了實(shí)際尺寸與名義尺寸相一致的高比例顆粒，其粒度組成都高于國家標(biāo)準(zhǔn)的粒度范圍要求。所有這些研磨拋光材料，粒度、品種齊全，以滿足用戶各種要求。通過工藝、設(shè)備、流程控制，保證了高純納米氧化鋁拋光液具有以下優(yōu)越性能：1、晶相穩(wěn)定、硬度高、顆粒小且分布均勻，懸浮穩(wěn)定性好；2、磨削力強(qiáng)、拋光快、光度亮、鏡面效果好；3、研磨效率高，拋光效果好，研磨效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二氧化硅等軟質(zhì)磨料，表面光潔度優(yōu)于白剛玉的拋光效果，切削力強(qiáng)、出光快、能拋出均勻而明亮的興澤。4、適用范圍廣，拋光后容易清洗。    氧化鋁拋光液和研磨材料適用于金相、巖相、復(fù)合材料的高精度研磨及拋光等表面處理：1、手機(jī)殼，陶瓷，玻璃、水晶、光學(xué)玻璃等振動(dòng)拋光（機(jī)器拋光、滾動(dòng)拋光）、手動(dòng)拋光（研磨拋光）等。人造寶石、天然寶石、鋯石、玉石、翡翠、瑪瑙。2、單晶硅片等半導(dǎo)體、壓電晶學(xué)、光學(xué)晶體、光學(xué)玻璃、光學(xué)塑料、計(jì)算機(jī)硬盤、光學(xué)鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、3、鋁材、銅材、不銹鋼等金屬表面研磨拋光。4、汽車油漆打磨拋光，樹脂拋光等，油漆表面、亞克力、非鐵金屬的表面拋光。5、 劃痕去除：寶石、首飾、微晶玻璃、鋁板、鋼板、塑料殼、壓克力等劃傷劃痕；汽車，船舶等表面油漆出現(xiàn)的輕微劃痕等只要涂上少許拋光液，用海綿布或者拋光墊等在其表面來回拋磨，很快就光亮如新，無一點(diǎn)擦痕。推薦配套使用：本公司金相拋光潤滑冷卻液，樣品的拋光效果則更加＊＊。使用與用量：推薦用量為1～20％，使用者應(yīng)根據(jù)不同體系經(jīng)過試驗(yàn)決定＊佳添加量?！?以防少許沉淀，建議使用前先搖勻?！?使用時(shí)，以不同濃度并據(jù)不同行業(yè)的需要可用過濾清潔水加以稀釋，調(diào)制不同濃度。儲   存：本品需在0℃以上儲存，防止結(jié)塊，在0℃以下因產(chǎn)生不可再分散結(jié)塊而失效。包   裝：產(chǎn)品包裝有：200毫升/瓶和500毫升/瓶。1 L/瓶、5 L/桶、20 L/桶

這兩個(gè)概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過程中，*初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，**性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為**的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的**有效方法。制作步驟依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

顆粒度均勻一致，在允許的范圍之內(nèi)。純度高，不含有可能引起劃痕的雜質(zhì)。有良好的分散性，以保證加工過程的穩(wěn)定和**?；瘜W(xué)穩(wěn)定性好，不致腐蝕工件。粉體晶型機(jī)構(gòu)穩(wěn)定，耐磨性及流動(dòng)性好。粒度大的拋光粉，磨削力越大，越適合加工硬度高的材料，反之粒度小的拋光粉適合加工偏軟類的材料。所以拋光粉都有一個(gè)粒度分布范圍，平均粒徑(中心粒徑D50)的大小只決定拋光速度的快慢，而**粒徑Dmax決定拋光精度的高低。因此要達(dá)到高精度的表面拋光要求，必須控制拋光粉的粒度分布比例和范圍。